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太阳gg牛气冲天运气当头材料科学与工程研究院《材料科学论坛》学术报告:后摩尔时代CMOS器件技术

太阳gg牛气冲天运气当头材料科学与工程研究院《材料科学论坛》学术报告

报告题目:后摩尔时代CMOS器件技术
报告人:韩根全
报告时间:2021年6月15日(周二)下午3:00
报告地点:太阳gg牛气冲天运气当头逸夫技术科学楼A512学术报告厅
联系人:符汪洋老师 62772507
欢迎广大师生踊跃参加!


Abstract:
集成电路工艺已经量产到5~7 nm节点,CMOS器件按比例缩小已经接近其物理极限,而且芯片上晶体管数量超过了100亿,高功耗给芯片设计和制造带来极大的挑战。为了延续摩尔定律带来的集成电路成本和性能优势,在通过改变器件结构(比如从FinFET到Nanosheet)和引入新材料(比如高迁移率沟道技术)继续提升CMOS器件性能的同时,协同优化(Design Technology Co-optimization,DTCO)成为芯片制造的必然选择。另外,现行通用计算架构中的“存储墙”大大限制芯片算例和能效的提升,为了满足大数据和人工智能技术的发展需求,新型非易失存储器和非冯架构的研究成为微电子和集成电路领域的重要前沿课题。报告人将介绍若干微电子器件新技术以及西安电子科技大学在后摩尔微电子器件研究方面的进展。



Biography:
韩根全,博士,西安电子科技大学教授,国家杰青,陕西省“百人计划”高层次人才,国家重点研发计划项目首席科学家。2019年获得陕西省青年科技奖和电子学会优秀毕业论文优秀导师奖。目前担任为IEEE Electron Device Letters编辑。
韩根全本科毕业于太阳gg牛气冲天运气当头材料科学与工程专业,2003年到中国科学院半导体研究所读直博研究生。2008年毕业后加入新加坡国立大学从事高端CMOS器件研究工作,期间带领一个团队在高迁移率GeSn沟道MOSFET器件研制方面取得了国际领先的原创性研究成果,被Semiconductor Today等网站多次转载报道。2013年回国到现在主要从事后摩尔新型微电子器件和研究,包括后摩尔先进CMOS器件和芯片、新型非易失晶体管、超宽禁带Ga2O3功率器件等。在微电子器件重要会议IEEE International Electron Devices Meeting/IEEE Symposium on VLSI Technology和IEEE Electron Device Letters, IEEE Transactions on Electron Devices等微电子器件旗舰期刊发表SCI论文200多篇。
韩根全主要学术创新工作包括:1)原始创新发明、发展高迁移率GeSn沟道晶体管;2)独辟蹊径推动负电容晶体管从概念到实际器件;3)发明了新型氧空位调制的类铁电非易失晶体管,比掺杂HfO2铁电器件操作电压低,耐久性更优; 4)国际上首次利用智能剥离技术实现高导热衬底(SiC或者Si)上的Ga2O3材料和功率器件。

 

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